IC-71 40MHz IF AMP Tr Vs FET TEST

IC-71 の 40MHz IF AMP 回路に用いるテストを行ってみました。
Tr と、FET とでテストを行い、その違いなどを検証しました。
また、同一環境とするために、回路構成はほぼ同じにしています。

IC-71 40MHz IF AMP TEST

使用するデバイスのみの変更としました。
これにより、同一回路構成でのデバイスの特性の違いが見て取れると思います。
厳密には、各デバイスでの適正化回路構成が理想なのですが、簡易的にテストしました。

40MHz IF AMP TEST の様子

いつもながらの直付けハンダ基板を利用しての実験です。
毎回使用していますので、徐々に銅箔が基板から加熱による浮き上がり現象が所々に見られるようになりました。

ちなみに、この実験基板も、後でIC-71の内部へと使用する予定の基板です。

いやはや、、、、ハンダが盛り過ぎて、ボコボコ状態です。
後で、ハンダを溶かして均一化する予定ではいます。

40MHz IF AMP 実験回路の様子

TG出力　-20dBm

Tr式アンプ　40MHz IF AMP +30dB

TG出力　   -20dBm
AMP OUT  +9.72dBm

約+30dB ほどの増幅です。

簡易的なノイズ・フィギャーNFなども計測してみたところ、このTr式アンプ、
約1.64dBでした。

FET式アンプ　40MHz IF AMP +15dB

TG出力　   -20dBm
AMP OUT  -5.28dBm

約+15dB ほどの増幅となりました。

これらにより、増幅度は、高周波Trの方が高いという事が判ります。
それらのデバイスの違いは、増幅度もさることながら、デバイス端子間でのスルーが全く違っていることです。

Trは、かなり信号を漏らします。
そして、FETは、信号のアイソレーションの点では優れています。

使用する用途や、各箇所での特徴を活かした利用が良いようです。

この様なハダカ基板でのバラック・テスト回路でも、異常発振などを起こさなかったのですが、やはり、しっかりと組み上げていけば、より良い特性・性能が期待できますね。

このように一つずつ、回路の実験を行いながら IC-71 の全体回路を組み立てていますが、やはり、時間がかかります。
いつになるやら、、、、。